光电二极管(Photo-Diode)是由一个PN结组成的半导体器件,具有单方向导电特性。. 光电二极管是在反向电压作用之下工作的,在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。. 如果 …
2020年4月24日 · 光电二极管是一种常见的光敏探测器件,它通过将光转化为电流或电压信号的方式,来对光信号的变化进行记录。. 一般的光电二极管灵敏度不高,当光强低到一定程度,信 …
2023年6月14日 · PN型光电二极管结构简单,入射光在探测器中激发了电子空穴对,然后一部分载流子被转化为光电流信号。. 实际情况下,这部分光电流信号一般是很小的,不方便直接探测 …
11.5.1 APD 的工作原理与结构. 雪崩光电二极管(AvalenchePhoto-Diodes,APD)被广泛应用于光纤通信系统,但在消费类电子产品中不常用,因为它的工作电压太高。. APD 几乎工作在击 …
2.5.2 雪崩型光电二极管(APD). 2.5.2.1 APD 型光电二极管的结构和基本原理. 雪崩型光电二极管 APD(avalanche photo-diode),是利用半导体内部载流子的雪崩倍增作用工作的光敏器件, …
雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。. 其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构( …
它可以给电子提供足够的能量。. 但是却不能提供足够多的动量。. 直接带隙的材料,电子的跃迁不需要多少动量,所以电子只要吸收到光子就很容易跃迁,相应的器件就可以使用。. 间接带隙 …
首先,耗尽区可以用来表示两个不同的概念,一个是PN结的空间电荷区;另一个是MOS结构施加反向偏压后出现的载流子耗尽区。. 通常和后面两者并列的,是第二个概念。. MOS结构,顾 …
11.4 pin 光电二极管. pin 光电二极管广泛用于光纤通信系统和家用电子设备中。. 它的量子效率比普通 pn 结光电二极管高,而电流和工作电压又比雪崩光电二极管(APD)低。. 它是工作在 …
二极管内部是个PN结,PN结有 电容效应,你应该学过电容两端电压不能突变,导致了过冲。. 如果信号频率高到一定程度,二极管将失去 单向导电性,也是这个原因。. C3D06060F为600 V …