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18 小时
博世获美2.25亿补贴,将投19亿扩建加州工厂生产SiC半导体
此次改造的核心是生产碳化硅(SiC)功率半导体,这一技术对提升电动汽车的驾驶和充电效率至关重要。博世计划投资19亿美元,将其罗斯维尔工厂转变为SiC半导体生产基地。改造完成后,该工厂不仅将创造多达1000个建筑工作岗位,还将带来700个制造、工程和研 ...
腾讯网
19 小时
博世获2.25亿美元芯片法案补贴,将投资19亿美元扩建加州SiC工厂
当地时间12月13日,美国拜登政府宣布,美国商务部已经与博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT),将根据《芯片与科学法案》向博世提供高达 2.25 亿美元的拟议直接补贴资金。这笔资金将支持博世投资 19 ...
10 小时
快讯|博世获美《芯片与科学法案》政策支持补贴扩产SiC半导体
美国商务部近日宣布,与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议,向其提供至多2.25亿美元补贴和3.5亿美元政府贷款,用于在加州生产碳化硅功率半导体。
国际电子商情
3 天
斥资1.15亿美元,安森美宣布收购Qorvo SiC JFET业务
国际电子商情13日讯 安森美(onsemi)日前宣布了一项重大战略举措,以1.15亿美元收购Qorvo公司的碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
4 天
这些SiC/GaN企业荣耀登榜!2024行家极光奖揭晓
该奖项主要表彰本年度碳化硅/氮化镓供应链中快速崛起的优秀企业,他们实现了国产第三代半导体材料、器件、模块和装备等环节技术的突围,并且在全球化道路上迈出坚实的步伐,提升中国第三代半导体的全球影响力。
盖世汽车资讯
16 小时
罗姆推出新型SiC肖特基势垒二极管 适用于高压xEV系统
盖世汽车讯 12月12日,半导体制造商罗姆(ROHM)开发出表面贴装SiC肖特基势垒二极管(SBD),可通过增加端子之间的爬电距离来提高绝缘电阻。初始产品系列包括用于车载充电器(OBC)等汽车应用的八种型号- ...
3 天
行家极光奖揭晓:爱仕特荣获中国SiC Fabless十强荣耀
12月12日,“行家极光奖”颁奖典礼在深圳召开,现场揭晓极光奖的获奖名单。 凭借2024年在碳化硅(SiC)领域的突出表现,爱仕特荣获“中国SiC Fabless十强企业”荣誉称号。
16 小时
博世将获美芯片补贴扩产SiC半导体
据媒体报道,美国商务部13日宣布,已与德国汽车零部件供应商 博世 达成初步协议,向其提供至多2.25亿美元补贴,用于在加州生产 碳化硅 (SiC)功率半导体。 据悉,这笔资金将支持 博世 计划的19亿美元投资,改造其位于加州罗斯维尔的工厂,以生产 碳化硅 功率半导体。此外,美国商务部还将为 博世 提供约3.5亿美元政府贷款。博世计划于 2026 年开始生产 SiC ...
6 天
光伏逆变器市场狂飙,全SiC模组会成为主流吗?
目前,风能和太阳能的总发电量已经超过了水力发电。预计到2028年,清洁能源的比重将达到42%。中国市场增长势头强劲,已成为全球清洁能源增长的主要驱动力。光伏 逆变器 ...
腾讯网
20 小时
安森美ON Semiconductor宣布将收购
UnitedSiC是一家碳化硅功率半导体制造商,该公司产品组合包括SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件,其第4代SiC FET的额定电压为行业750V和5.9毫欧RDS(on),实现了对EV充电器、DC-DC转换器和牵引驱动器SiC效率和性能的提升。近日,安森美ON ...
中国科技网首页
14 小时
我国科研团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破
12月16日,记者从哈尔滨工业大学(深圳)获悉,该校集成电路学院教授宋清海、周宇团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破,将进一步推进集成光量子信息技术在量子网络和量子传感领域的应用。相关研究成果于近日发表在《自然·通讯》上。
来自MSN
6 天
安森美1.15亿美元收购Qorvo碳化硅JFET技术
2024年12月10日,功率半导体大厂安森美(onsemi)宣布已与Qorvo达成协议,以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安 ...
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