在SiC ...

值得注意的是，SiC基纳米陶瓷的整体性能不仅取决于其化学成分，还与其微观结构紧密相关。通过精细调控SiC晶体颗粒的大小、晶界构造以及缺陷 ...

市场分析师指出，江苏昕感科技的这一创新可能会导致行业整体技术标准的提升，并对现有竞争对手形成压力。这种新型高压器件凭借其较高的功率密度和更小的布局面积，将为市场带来更多的可用性和激烈的成本竞争，促使其他制造商加速技术研发以适应市场需求变化。随着对能源效率及设备可靠性需求日益上升，江苏昕感科技的技术方案具有吸引力，将可能吸引更多的投资和合作。

Toshiba SiC MOSFET通过一种器件结构来缓解这个问题，该器件结构将肖特基势垒二极管(SBD)嵌入MOSFET以使体二极管失活，但将SBD置于芯片上会减少决定 ...