盖世汽车讯 12月12日，半导体制造商罗姆（ROHM）开发出表面贴装SiC肖特基势垒二极管（SBD），可通过增加端子之间的爬电距离来提高绝缘电阻。初始产品系列包括用于车载充电器（OBC）等汽车应用的八种型号- ...

据媒体报道，美国商务部13日宣布，已与德国汽车零部件供应商 博世 达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴，用于在加州生产 碳化硅 （SiC）功率半导体。 据悉，这笔资金将支持 博世 计划的19亿美元投资，改造其位于加州罗斯维尔的工厂，以生产 碳化硅 功率半导体。此外，美国商务部还将为 博世 提供约3.5亿美元政府贷款。博世计划于 2026 年开始生产 SiC ...

当地时间12月13日，美国拜登政府宣布，美国商务部已经与博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，将根据《芯片与科学法案》向博世提供高达 2.25 亿美元的拟议直接补贴资金。这笔资金将支持博世投资 19 ...

此次改造的核心是生产碳化硅（SiC）功率半导体，这一技术对提升电动汽车的驾驶和充电效率至关重要。博世计划投资19亿美元，将其罗斯维尔工厂转变为SiC半导体生产基地。改造完成后，该工厂不仅将创造多达1000个建筑工作岗位，还将带来700个制造、工程和研 ...

12月12日，“行家极光奖”颁奖典礼在深圳召开，现场揭晓极光奖的获奖名单。 凭借2024年在碳化硅（SiC）领域的突出表现，爱仕特荣获“中国SiC Fabless十强企业”荣誉称号。

该奖项主要表彰本年度碳化硅/氮化镓供应链中快速崛起的优秀企业，他们实现了国产第三代半导体材料、器件、模块和装备等环节技术的突围，并且在全球化道路上迈出坚实的步伐，提升中国第三代半导体的全球影响力。

目前，风能和太阳能的总发电量已经超过了水力发电。预计到2028年，清洁能源的比重将达到42%。中国市场增长势头强劲，已成为全球清洁能源增长的主要驱动力。光伏 逆变器 ...

2024年11月29日，意法半导体股份有限公司（STMicroelectronics）在高科技领域再次引发关注。国家知识产权局公布的一项新专利，标志着该公司在制造硅碳化物（SiC）晶圆方面取得重大进展。这项名为“具有残余应力控制的SiC ...

国际电子商情13日讯 安森美（onsemi）日前宣布了一项重大战略举措，以1.15亿美元收购Qorvo公司的碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务及其子公司United Silicon Carbide。

提高电机驱动系统的功率密度是提升电动汽车性能的关键。特斯拉已经使用的碳化硅 (SiC)功率模块，有可能将功率密度提高一倍。SiC器件具有高温电阻性、低损耗，并且能在高频下运行。

2022年12月成立的日本公司Patentix正是这一故事的主角，这是一家源自立命馆大学的半导体深科技创业公司，立命馆大学科学技术研究机构教授兼RARA研究员金子健太郎（Kentaro ...

12月11日，围绕“8英寸SiC量产技术”，烁科晶体、同光股份、南砂晶圆、三安半导体、合盛新材料、中电化合物、Soitec、青禾晶元等国内外SiC衬底/外延大厂，将分享其在大尺寸碳化硅等方面的创新突破，为器件端等下游环节提供降本增效助益。